تولید برق فوق العاده بالا/ راندمان فوق العاده بالا
قابلیت اطمینان افزایش یافته
درب پایین / LETID
سازگاری بالا
ضریب دمایی بهینه شده
دمای عملیاتی پایین تر
تخریب بهینه شده
عملکرد برجسته در نور کم
مقاومت استثنایی PID
سلول | مونو 182*91 میلی متر |
تعداد سلول ها | 108 (6×18) |
حداکثر توان نامی (Pmax) | 420W-435W |
حداکثر بهره وری | 21.5-22.3٪ |
جعبه اتصال | دیودهای IP68,3 |
حداکثر ولتاژ سیستم | 1000V/1500V DC |
دمای عملیاتی | -40℃℃+85℃ |
اتصال دهنده ها | MC4 |
بعد، ابعاد، اندازه | 1722*1134*30mm |
تعداد یک کانتینر 20GP | 396 عدد |
تعداد یک کانتینر 40HQ | 936 عدد |
ضمانت 12 ساله برای مواد و پردازش؛
30 سال ضمانت برای خروجی برق خطی اضافی.
* خطوط تولید خودکار پیشرفته و تامین کنندگان مواد اولیه با برند درجه یک، اطمینان بیشتری از پنل های خورشیدی را تضمین می کنند.
* تمامی سری های پنل های خورشیدی دارای گواهینامه کیفیت TUV, CE, CQC, ISO,UNI9177- Fire Class 1 هستند.
* نیمه سلول های پیشرفته، فناوری سلول های خورشیدی MBB و PERC، راندمان بالاتر پنل خورشیدی و مزایای اقتصادی.
* کیفیت درجه A، قیمت مطلوب تر، 30 سال عمر طولانی تر.
به طور گسترده در سیستم PV مسکونی، سیستم PV تجاری و صنعتی، سیستم PV در مقیاس کاربردی، سیستم ذخیره انرژی خورشیدی، پمپ آب خورشیدی، سیستم خورشیدی خانگی، نظارت بر خورشیدی، چراغ های خیابانی خورشیدی و غیره استفاده می شود.
انرژی خورشیدی یک منبع انرژی تجدیدپذیر است که می تواند برای تولید برق از طریق سلول های فتوولتائیک (PV) استفاده شود.سلول های فتوولتائیک معمولاً از سیلیکون، نیمه هادی ساخته می شوند.سیلیکون با ناخالصی ها دوپ می شود تا دو نوع مواد نیمه هادی ایجاد کند: نوع n و نوع p.این دو نوع مواد دارای خواص الکتریکی متفاوتی هستند که آنها را برای مصارف مختلف در تولید انرژی خورشیدی مناسب می کند.
در سلولهای PV نوع n، سیلیکون با ناخالصیهایی مانند فسفر که الکترونهای اضافی را به ماده میدهد، دوپ میشود.این الکترون ها می توانند آزادانه در درون ماده حرکت کنند و بار منفی ایجاد کنند.هنگامی که انرژی نور خورشید روی یک سلول فتوولتائیک می افتد، توسط اتم های سیلیکون جذب می شود و جفت الکترون-حفره ایجاد می کند.این جفت ها توسط یک میدان الکتریکی در سلول فتوولتائیک از هم جدا می شوند که الکترون ها را به سمت لایه نوع n هل می دهد.
در سلولهای فتوولتائیک نوع p، سیلیکون با ناخالصیهایی مانند بور که مواد الکترونها را از بین میبرد، دوپ میشود.این باعث ایجاد بارهای مثبت یا سوراخ هایی می شود که قادر به حرکت در اطراف مواد هستند.هنگامی که انرژی نور بر روی یک سلول PV می افتد، جفت الکترون-حفره ایجاد می کند، اما این بار میدان الکتریکی حفره ها را به سمت لایه p-type هل می دهد.
تفاوت بین سلول های فتوولتائیک نوع n و نوع p در نحوه جریان دو نوع حامل بار (الکترون ها و سوراخ ها) در داخل سلول است.در سلولهای PV نوع n، الکترونهای تولید شده نوری به لایه نوع n جریان مییابند و توسط تماسهای فلزی در پشت سلول جمعآوری میشوند.در عوض، سوراخ های ایجاد شده به سمت لایه p-type رانده می شوند و به سمت کنتاکت های فلزی در جلوی سلول جریان می یابند.عکس این موضوع برای سلولهای PV نوع p صادق است، جایی که الکترونها به سمت کنتاکتهای فلزی در جلوی سلول و سوراخها به سمت پشت جریان مییابند.
یکی از مزیت های اصلی سلول های PV نوع n راندمان بالاتر آنها در مقایسه با سلول های نوع p است.به دلیل وجود الکترون های اضافی در مواد نوع n، تشکیل جفت الکترون-حفره در هنگام جذب انرژی نور آسان تر است.این اجازه می دهد تا جریان بیشتری در باتری تولید شود و در نتیجه توان خروجی بالاتری داشته باشد.علاوه بر این، سلولهای فتوولتائیک نوع n کمتر در معرض تخریب ناشی از ناخالصیها هستند و در نتیجه طول عمر بیشتر و تولید انرژی قابل اطمینانتری دارند.
از سوی دیگر، سلول های فتوولتائیک نوع P معمولاً برای هزینه مواد کمتر انتخاب می شوند.به عنوان مثال، سیلیکون دوپ شده با بور ارزان تر از سیلیکون دوپ شده با فسفر است.این امر سلول های فتوولتائیک نوع p را به گزینه ای اقتصادی تر برای تولید خورشیدی در مقیاس بزرگ تبدیل می کند که به مقادیر زیادی مواد نیاز دارد.
به طور خلاصه، سلول های فتوولتائیک نوع n و نوع p دارای خواص الکتریکی متفاوتی هستند که آنها را برای کاربردهای مختلف در تولید انرژی خورشیدی مناسب می کند.در حالی که سلول های نوع n کارآمدتر و قابل اعتمادتر هستند، سلول های نوع p عموما مقرون به صرفه تر هستند.انتخاب این دو سلول خورشیدی به نیازهای خاص کاربرد از جمله بازده مورد نظر و بودجه در دسترس بستگی دارد.